1.西部数据不同意韩国SK海力士参与收购东芝芯片业务；

路透东京6月26日 - 西部数据(WDC.O)已告知东芝(6502.T)，若胜出的收购方包括韩国的SK海力士(000660.KS)，则将不同意东芝重要的存储芯片业务的出售案。

西部数据与东芝共同运营东芝一家主要的半导体工厂，双方因东芝芯片出售案翻脸，西部数据已向美国一家法院申请禁令，阻止东芝未经其同意的任何芯片交易。

“我必须明确的是，西部数据不会同意与上述财团合作，”西部数据CEO Stephen Milligan在给东芝董事会的信中说。

这封信的日期是6月25日，路透周一看到。信中称SK海力士加入收购东芝芯片业务的财团“增加了技术泄漏的可能性，未来可能给合资企业带来损害。”

路透上周报导，贝恩资本(Bain Capital)计划成为东芝芯片业务的最大投资方，将斥资8,500亿日圆(77亿美元)入股该业务。贝恩资本是竞购东芝芯片业务的一个财团的成员之一，该财团成员还包括政府支持的基金--日本产业革新机构(INCJ)和日本政策投资银行(DBJ)。

SK海力士在NAND闪存芯片领域比较薄弱。消息人士称，贝恩资本计划要为交易融资8,500亿日圆，SK海力士将提供这笔资金的一半。

东芝社长兼CEO纲川智在上周五的记者会上表示，SK海力士将不会持有任何股权，也不会介入管理--如此安排不太可能引发监管机构的阻拦，并且可以防止关键技术信息的泄露。

东芝目前急于要在6月28日年度股东大会召开前达成协议。（完）

2.东芝出售优先选择日美联盟 产能与技术将挑战三星

TrendForce内存储存研究（DRAMeXchange）指出，东芝宣布选择日本投资人与美国私募股权公司贝恩资本联盟的团队为优先竞购者，目标将在6月28日的股东会议和上述团队达成最终协议，并于2018年3月之前完成收购交易，短期来看，最受影响为NAND Flash市场，预期第四季有机会转趋供需平衡；长期而言，收购方对NAND Flash具大量需求，将有助东芝在产能与技术上超越三星。

DRAMeXchange资深研究协理陈玠玮指出，从NAND Flash市场来看，东芝/威腾阵营的NAND Flash产能比重占全球约34.7%水平，与居首位三星的36.6%不相上下，两大阵营产能占比加总已达七成。 单看东芝的话，其营收在今年第一季来到19.68亿美元，市占率高达16.5%，排名仅次于三星和威腾，位居第三。

此外，东芝/威腾阵营总产能规模虽然与三星旗鼓相当，但3D产能规模却远不及三星，东芝/威腾阵营今年第二季的3D月产能只占总产能10-15%水平，反观其主要竞争对手三星，其3D月产能占比已超过40%；美光/英特尔阵营的3D产能也在去年下半年的努力下攀升到约40%大关。 虽然东芝/威腾阵营在今年年初对于自家的3D产能规画十分积极，但却受到东芝母公司财务问题的影响出现变量。

从短期的影响来看，陈玠玮表示，东芝一案尘埃落定后，最先影响的就是NAND Flash市场在今年第四季的供需局面。 此出售案可望于六月底定案，预估东芝/威腾第四季的3D月产能有机会接近原先规画的占整体产能30-40%水平，让第四季的市场从供不应求转为供需平衡状况，连带使得NAND Flash价格从去年以来的涨势可能将告一段落。

东芝经过这次股权标案后，将独立于东芝集团之外成为一百分之百的NAND Flash半导体公司，未来新公司的资本支出结构等皆不用再受到东芝母公司过去财务问题与内部间资源分配不均的拖累，而能更专注在NAND Flash相关的技术与产能投入，未来无论是在策略积极度、决策效率上都将较以往提升。

此次出售案的收购对象日美联盟成员中包括日本政府支持的产业革新机构（INCJ）财团、日本发展银行（DBJ）和贝恩资本（Bain Capital）等非相关领域的资金，加上南韩 SK 海力士业者，整体而言比较接近国家的力量。

此阵营若能取得东芝经营权后，在国家力量的支持下，管理高层的变动性与公司未来经营方向的变化性预料不会有太大的变化。 成员之一的SK海力士，虽然没有直接参与新东芝的经营权，但对于取得相关财务或是经营策略会比现阶段有更高的掌握度，未来也不排除会有技术交流和合作的可能性，对SK海力士来说不失为好的战略地位。

因此这些新成员加入对于东芝/威腾阵营，未来在新技术研发方向与新产能建置上无疑是注入一剂强心针。 若是东芝/威腾阵营能好好掌握此次契机，化危机为转机的话，未来要与三星并驾齐驱甚至是超越都是可能的。

换言之，随东芝此次事件落幕后，未来NAND Flash市场的版图变化势必又将再掀波澜。 值得注意的是，就算几已确定上述对象将能收购东芝股权，但后续仍需观察收购对象是否需要且能否顺利通过各国反垄断审批机关的审核。CTIMES

3.第三季DRAM平均销售单价将上涨5%；

集微网消息，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，进入六月下半旬，产业大部分的品牌都积极地议定第三季合约价格。由于DRAM供货吃紧状态仍延续，因而价格仍将持续上扬，预估整体DRAM平均销售单价将上涨约5%，供货商的获利水平也将进一步提升。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，虽然今年在需求端，尤其是智能手机领域需求并没有特别强劲，但DRAM产业持续受惠于制程转进不易所造成的供货紧缩，使得平均销售单价居高不下；在短期之内没有大幅新增产能的前提下，预计DRAM供货吃紧状态将延续至2018年。

需求端产品分类日趋复杂，使得DRAM生产规划难度持续提升

相较于过往的DRAM景气循环，此次最大的不同之处在于需求面的高度复杂程度。举例而言，由于过去的产业是以PC或智能手机为主要大宗，所以DRAM的种类较为单纯，也容易因为景气的影响而造成价格的剧烈波动。然而，除了这两种产品线以外，现在不论是绘图运算、云端应用、车用或者是人工智能都处于生命周期的初始阶段，DRAM供货商需要推出客制化程度较高的商品以因应不同的需求，因此在相同的产能以下，生产规划的难度不断提升，价格走势也较过去稳定，不会因为某一个特殊应用面的产品周期而受到剧烈的波动。

展望第三季，虽然智能手机与PC的出货并没有特别强劲，但持续受惠于数据中心(data center)建设需求带动，加上网通类产品的旺季备货周期来临，DRAM价格持续上扬。根据DRAMeXchange观察，具备领先指标意义的现货市场价格已在过去一周呈反转向上趋势，而以合约价来说，第三季将会以服务器内存的涨幅最为显著(约5~8%)，带动第三季整体DRAM平均销售单价至少上扬5%。

4.揭密：英特尔Optane 3D XPoint内存；

TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。

英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。 2016年，英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品，成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘(SSD)系列。

根据TechInsights的材料分析，XPoint是一种非挥发性内存(NVM)技术。 位储存根据本体(bulk)电阻的变化，并结合可堆栈的跨网格数据存取数组。 其价格预计将会较动态随机存取内存(DRAM)更低，但高于闪存。

TechInsights最近取得了英特尔Optane M.2 80mm 16GB PCIe 3.0并加以拆解，在封装中发现了一个3D X-Point内存芯片。 这是英特尔和美光的首款商用化3D Xpoint产品。 英特尔3D X-Point内存的封装尺寸为241.12mm2(17.6mm x 13.7mm)，其中并包含X-Point记体晶粒。 该3D X-Point晶粒尺寸为mm2(16.6mm x 12.78mm)。

TechInsights的进一步分析确定，英特尔Optane XPoint内存芯片的每颗晶粒可储存128Gb，较目前2D与3D TLC NAND商用产品的储存密度略低，如图1所示。 美光(Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每颗晶粒内存密度为2.28Gb/mm2，三星(Samsung) 48L TLC V-NAND为2.57Gb/mm2，东芝(Toshiba)/WD 48L BiCS TLC NAND为2.43Gb/mm2，而海力士(SK Hynix)36L P-BiCS MLC NAND则为1.45Gb/mm2。 相形之下，英特尔的Optane XPoint的内存密度为0.62Gb/mm2。

图1：内存密度比较

然而，相较于DRAM产品，3D Xpoint的内存密度较同样采用20nm技术的DRAM产品更高4.5倍，也比三星的1xnm DDR4高出3.3倍。 Xpoint内存产品采用20nm技术节点，实现0.00176μm2的单元尺寸，这相当于DRAM单元大小的一半。 这是因为可堆栈的内存单元，以及4F2取代6F2用于内存单元数组设计。

图2：X-point内存数组SEM与TEM影像图

我们都知道，美光32L和64L 3D NAND产品采用CuA (CMOS under the Array)架构，表示其内存数组效率达85%，较其他3D NAND产品的效率(约 60-70%)更高，例如三星3D 48L V-NAND的效率为70.0%。 同样地，XPoint内存数组中的储存组件由于位于金属4和金属5之间，使得晶粒的内存效率可达到91.4%。 换句话说，所有的CMOS电路，如驱动器、译码器、位线存取、本地数据以及地址控制，均位于与3D NAND的CuA架构相似的内存组件下方。 图2显示英特尔XPoint与市场上现有3D NAND产品的内存效率比较。

图3：内存数组效率的比较

至于英特尔XPoint内存数组中的内存元素，它采用在金属4和金属5之间的储存/选择器双层堆栈结构，并在金属4上连接几个选择器触点接头。 在储存组件方面，已经开发了诸如相变材料、电阻氧化物单元、导电桥接单元以及磁阻式随机存取内存(MRAM)等备选方案。 其中，英特尔XPoint内存采用基于硫族化物的相变材料，而其内存组件采用锗-锑-碲(Ge-Sb-Te)合金层，即所谓的相变记忆器(PCM)。

在选择器方面则使用了许多开关组件，例如双载子接面晶体管(BJT)或场效晶体管(FET)、二极管和双向阈值开关(OST)。 英特尔XPoint内存使用另一种基于硫族化物的合金，掺杂不同于内存元素的砷(As)。 这表示英特尔XPoint内存使用的选择器是一种双向阈值开关材料。

接下来，我们还将深入这款组件，寻找更具创新性的技术。

图5显示沿着位线和字符线的双层内存/OTS选择器组件横截面影像。 OTS选择器并不会延伸至中间电极或底部电极。

图4：沿着位线和字符线的XPoint PCM/OTS横截面 （来源：英特尔3D XPoint、TechInsights）

5.SK集团加速半导体垂直整合 SK Innovation开发半导体材料

SK集团(SK Group)在接连购并OCI Materials与乐金Siltron(LG Siltron)之后，子公司SK Innovation也将发展半导体材料事业，加速以SK海力士(SK Hynix)为主轴的材料、零组件事业垂直整合。

据韩媒ET News报导，业界消息表示，SK Innovation以对SK海力士供应产品为目的，正从事光阻剂(Photoresist)研发。近期SK Innovation已将少量光阻剂样品交给SK海力士进行测试，后续经由意见回馈改善品质后，朝向量产目标迈进。

光阻剂用在硅晶圆的曝光制程，与通过光罩的光作用形成电路图形。曝光设备与材料依照曝光波长分为G-line、I-line、KrF、ArF与极紫外光(EUV)等多种方式，其中以极紫外光最为先进。

SK Innovation开发的是用在生产3D NAND Flash的KrF光阻剂，涂布在晶圆上时必须形成10㎛以上的厚膜，之后才能顺利将存储器单元(Cell)堆叠成垂直构造。

ArF与极紫外光的光阻剂材料市场主要由信越化学(Shin-Etsu Chemical)、住友化学(Sumitomo Chemical)、东京应化工业(TOK)、JSR等日本业者掌握；南韩东进世美肯(Dongjin Semichem)与德国默克(Merck)供应技术难易度相对较低的3D NAND Flash KrF光阻剂。

SK Innovation表示，公司从2年前开始着手研发光阻剂等电子材料，希望能以石油、润滑油领域累积的技术能量，也在特殊化学材料市场取得斩获。

SK集团在将海力士纳入旗下后，开始以购并策略强化半导体材料、零组件事业能量。2016年1月买下半导体特殊气体业者OCI Materials并更名为SK Materials。

SK Materials生产三氟化氮(NF3)，用来清除半导体机台腔体内的残留物质，全球市占率第一。2016年SK Materials先后与日本Tri Chemical Laboratories及昭和电工(Showa Denko)合资成立子公司SK Tri Chem、SK Showa Denko。

SK Tri Chem生产锆(Zr)系前驱体(Precursor)高介电(High-K)蒸镀材料；SK Showa Denko生产蚀刻气体三氟甲烷(CH3F)。这两项材料都将对SK海力士供应。

2017年初SK集团再度向乐金集团(LG Group)购买硅晶圆公司乐金Siltron过半数股权。先前SK海力士分别向信越化学、Sumco、SunEdison Semiconductor、Siltronic及乐金Siltron等5家供应商采购硅晶圆，未来应会增加对乐金Siltron的采购量。

业界表示，2015年SK集团会长崔泰源订定2020年集团营收目标200兆韩元(约1,779亿美元)，并选定多项领域作为新树种事业培育，其中规模最大的就是半导体及相关材料与零组件事业。之后SK集团主要子公司纷纷投入相关研发，如SKC的子公司SKC Solmics正在开发光罩基底(Mask Blank)。

日本Hoya、成膜光电(Ulcoat)是光罩基底市场主要供应商，南韩业者S&S Tech也自主研发，将产品往海外市场销售。SKC Solmics若能成功将光罩基底带入商用化，未来可望大幅提高营收。

SK Innovation对开发3D NAND Flash的KrF光阻剂传闻表示，光阻剂等各种电子材料化学产品都还在开发阶段，是否进行量产还需经过审慎评估才能确定。DIGITIMES

6.传苹果考虑转日美韩联盟，东芝说明为什么SK行、鸿海不行

东芝(Toshiba)21日宣布，决定由日本官民基金“产业革新机构(INCJ)”、美国投资基金以及韩国SK Hynix等所筹组的“日美韩联盟”作为半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”的优先交涉对象，而该日美韩联盟将有强大的生力军加入？据悉苹果(Apple)考虑加盟。另外，因日本政府打出“忧心技术外流”大旗、导致台湾鸿海未能被选为优先交涉对象，但为什么同样身为“海外企业”的SK却能被选中？对此东芝有作出说明。

苹果可能将加入“日美韩联盟”，主因苹果iPhone等产品使用了大量的存储器，而若能对TMC进行出资、就有望更易于采购到存储器，因此考虑加盟。而对现行的日美韩联盟来说，苹果加入，有望减轻各阵营的负担。

据关系人士指出，在日美韩联盟中，INCJ、日本政策投资银行将各别出资3,000亿日圆，美国投资基金贝恩资本(Bain Capital)等将出资8,500亿日圆，但整体出资额仍达不到东芝希望的2兆日圆，因此在经济产业省主导下，计划找来邮储银行(Japan Post Bank)出资数百亿日圆、苹果出资数千亿日圆。

经产省此举的目的是希望借由找来有望进行巨额出资的苹果加入，来牵制出价最高但却未能被选为优先交涉对象、因而痛批日本政府的鸿海。

另外，东芝社长纲川智于23日举行的记者会上说明了，为什么在“避免技术外流”的前提下，鸿海、SK这两家海外企业中，SK行、鸿海却不行。

日经新闻报导，关于拒绝鸿海、却接受SK的理由，纲川智23日指出，“SK只是提供资金、不会拥有议决权，因此不会参与、干预经营。所以相信能够防止技术外流海外”。上述言论显示SK应是以提供融资的形式参与TMC的收购案。

关于鸿海董事长郭台铭表态不会放弃入股TMC一事，纲川智避谈、仅表示：“不清楚细节”。

不过市场仍忧心将来SK恐会介入经营、且SK加入真不会造成技术外流？

日经新闻指出，SK曾做出和经产省“防止技术外流”主张相违悖的事情，3年前发生了从四日市工厂窃取技术情报的产业间谍事件(按此)，当时SK还因此支付330亿日圆和解金给东芝。

另外，东芝合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点“四日市工厂”的Western Digital(WD)强烈反对SK、恐将成为今后出售协商的一大阻碍。WD担忧身为同业的SK加入恐会对四日市工厂的生产业务带来混乱，且WD干部指出，日美韩联盟是以“基金”为主体，“而寻求股票出售获利的基金今后恐会将股权卖给资金丰沛的SK”。

东芝于23日宣布，2016年度(2016年4月-2017年3月)合并净损额从原先预估的9,500亿日圆下修至9,952亿日圆，另外，截至2017年3月底为止，东芝债务超过金额(总债务超过总资产的金额)达5,816亿日圆、高于之前预估的5,400亿日圆。

东京证券交易所也于23日宣布，因确定东芝于2017年3月底陷入债务超过局面，故东芝将在8月1日从东证一部降级至东证二部。