继三星、SK海力士之后，中国台湾厂商南亚科、华邦电和力晶等三家存储器相关业者，都悄悄启动增加资本支出计划。随着业者“资本支出大战”再度开打，是否会打破维系已久的产业平衡默契，导致价格反转，备受关注。

　　其中，主攻存储器芯片设计与制造的南亚科、华邦电今年资本支出都近200亿元(新台币，下同)，南亚科更上调逾七成至197.1亿元，华邦电则为历史新高的182亿元，年增逾二成。

　　力晶虽已宣布转型晶圆代工，但仍有不少业务来自为晶豪科、爱普等存储器设计业者代工芯片，力晶日前宣布将启动近3,000亿元的12英寸新厂建设计划，对产业影响同受瞩目。

　　随着各种电子终端产品对存储器需求量增加，各大存储器厂和市调机构普遍认为，今年DRAM业仍是大丰收的一年。

　　看好存储器需求强劲，各大厂趁势透过提高资本支出等方式，扩大产出，希望能抢到更多商机，也为未来市场供需失衡状况埋下隐忧。

　　南亚科加码投资20纳米制程，今年资本支出由原订的115亿元上调至197.1亿元，增幅逾71%，规划在明年第2季底前，将20纳米制程月产出提升至4.7万片，也让南亚科DRAM月产能增至7.3万片。

　　这是南亚科在转型专注利基型存储器市场后，重新扩大标准型存储器，甚至重返服务器DRAM的一项重要投资行动。

　　南亚科强调，增加的产出占全球供应数量有限，影响也有限。

　　华邦电与力晶也都宣布增加资本支出，力晶并将启动12英寸新厂，虽然相关计划要到2020年才会完工并陆续投资，但也隐约透露DRAM厂已有意增产，未来是否会让一直处于上涨的DRAM市况，进入反转下跌，已成为全球投资人关注的焦点。